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1996 Jul 30
5
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel silicon field-effect transistors BF245A; BF245B; BF245C
handbook, halfpage6ID
02010
0
VDS
(V)
?40?2
(mA)
0
MBH555
5
4
3
2
1
VGS
= 0 V
?0.5 V
?1 V
?1.5 V
Fig.4 Output characteristics for BF245A;
typical values.
VDS
=15V; Tj
=25?C.
Fig.5 Transfer characteristics for BF245B;
typical values.
VDS
=15V; Tj
=25?C.
handbook, halfpage15
VGS
(V)
ID
(mA)
MGE787
10
5
MBH553
handbook, halfpage15handbook, halfpage30
02010
VDS
(V)
?10
?5
VGS
(V)
0
ID
(mA)(mA)
0
10
5
VGS
= 0 V
?0.5 V
?1 V
?1.5 V
?2 V
?2.5 V
Fig.6 Output characteristics for BF245B;
typical values.
VDS
=15V; Tj
=25?C.
Fig.7 Transfer characteristics for BF245C;
typical values.
ID
0
MGE788
20
10
VDS
=15V; Tj
=25?C.
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